国际电子商情28日讯 当地时间1月26日，美光科技宣布，位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工。该工厂计划在未来十年内总投资约240亿美元，预计于2028年下半年投产，将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，提供约70万平方英尺的无尘室空间。美光表示，此次投资将创造约1600个就业岗位，旨在满足人工智能驱动下对NAND闪存不断增长的市场需求。

资料显示，美光在新加坡已有大规模制造布局，其98%的闪存芯片在当地生产。此外，美光还正在新加坡建设一座价值70亿美元的先进封装工厂，专门生产人工智能芯片所需的高带宽内存（HBM），预计2027年投产。

与此同时，其他存储芯片巨头也积极扩产。SK海力士计划将一座新工厂的投产时间提前三个月，并于2月开始运营另一座新工厂。有外媒报道称，SK海力士已被选为微软人工智能芯片Maia 200所采用的HBM3E内存的独家供应商。该芯片搭载的HBM3E内存总容量为216GB，配备了六个12层HBM3E内存模块。

另外，韩国《电子时报》1月25日报道称，三星电子则在今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，涨幅高于市场预期，凸显了当前存储芯片市场严重的供需失衡现状。

当前，全球存储芯片市场由美光科技以及韩国竞争对手SK海力士、三星电子主导。这三家公司近来优先生产AI算力基建所需的高端存储芯片，导致用于个人电脑和手机的传统存储芯片也面临供应短缺。

我们正处于“超级周期”

全球存储芯片市场正经历供需严重失衡。TrendForce数据显示，2026年全球服务器出货量年增长率预计为12.8%，其中AI服务器出货量年增长率达28%以上。DRAM和NAND Flash的合约价格持续上涨，预计2026年存储器产业产值同比增长134%至5516亿美元，2027年将继续增长53%至8427亿美元。

对此火爆行情，EDA巨头新思科技首席执行官Sassine Ghazi表示，芯片短缺现象预计将在2026年和2027年持续，主要原因是AI基础设施对内存芯片的需求达到前所未有的水平，而扩产需要至少两年时间。

事实上，美光科技在去年底发布2026财年第一季度业绩报告时就曾做出过这样的预测。

美光科技预测，存储市场供应紧张的情况将持续到2026年以后，HBM总潜在市场预计以约40%的复合年增长率增长，从2025年的约350亿美元增长到2028年的约1000亿美元。

在华尔街，高盛和野村等投资机构判断，全球存储器市场正在经历“三重超级周期”，DRAM、NAND和HBM的需求同时激增，这一趋势预计将持续到2027年。

信息来源:ESM China